Samsung quiere colocarse como el líder en la carrera por desarrollar los chips más poderosos y eficientes, por lo que ahora el gigante tecnológico ha comenzado con la producción en serie de los primeros chips DRAM con tecnología de 10 nanómetros.
Las nuevas memorias DRAM ofrecerán un rendimiento superior, con una mayor tasa de transferencia de datos y un consumo de memoria muy inferior al de los actuales chips DDR4 de 8 GB de 20 nanómetros. Samsung ha anunciado en su blog oficial que los nuevos chips tendrán una velocidad de transferencia de 3,200 megabits por segundo (Mbps), por lo que son un 30% más rápidos y consumen hasta un 20% menos de energía que la anterior generación.
«Las DRAM a 10 nm de Samsung permitirán los mayores niveles de eficiencia en sistemas IT, convirtiéndose así en una nueva herramienta de crecimiento para la industria de memorias a nivel global,» señala Young-Hyun Jun, Presidente de Productos de Memoria de Samsung Electronics. «Próximamente vamos a lanzar la siguiente generación de productos DRAM a 10 nm, con altas densidades para ayudar a los fabricantes de teléfonos móviles a desarrollar aún más productos innovadores para los usuarios de dispositivos móviles.»
Anteriormente la compañía ya había presentado memorias NAND para SSD con la misma tecnología, pero en el caso de la DRAM el proceso de manufactura requiere mayor complejidad. Esto se debe a que todos los componentes tienen que ser mucho más pequeños que los actuales, lo que en general complica su producción.
Además de su uso en computadoras personales, los primeros chips de 8 GB a 10 nm eventualmente podrán ser usados en teléfonos y servidores. Samsung planea producir memorias DDR4 a 10 nm con capacidades de 4 GB para PCs, hasta 128 GB para servidores empresariales. Por el momento, la surcoreana no ha dado a conocer la fecha exacta en que llegarán al mercado pero asegura que estarán disponibles a finales de 2016.
¿Qué te parece el nuevo chip de memoria? ¿Logrará Samsung afianzar su liderazgo en el mercado?